Оперативная память основные характеристики

Выбор и характеристики оперативной памяти

Оперативная память или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — устройство для временного хранения информации. Данный тип памяти является энергозависимым. Это означает, что при выключении компьютера все данные, находящиеся в оперативной памяти стираются.

В компьютере оперативная память используется для быстродействия, так как скорость обмена данными между процессором и ОЗУ в разы больше, чем между процессором и жестким диском (или другим накопителем).

Основные характеристики оперативной памяти: тип памяти, объем модуля памяти, тактовая частота, тайминги (латентность).

Первое на что следует обратить внимание при выборе оперативной памяти – это ее тип. На данный момент существует три типа оперативной памяти: DDR (Double data rate) , а также ее современные модификации: DDR2 и DDR3. Отличия между типами памяти в скорости работы, энергопотреблении (у памяти типа DDR3 энергопотребление меньше на 30-40%, чем у памяти типа DDR2) и количестве контактов на модуле (нельзя установить ОЗУ типа DDR3 в разъем DDR или DDR2 и наоборот).

Память типа DDR и DDR2 ныне уже устарела. Так что, по сути, для нового компьютера вам подойдет только память типа DDR3. Такое заключение можно сделать, не только потому, что память типа DDR и DDR2 менее производительна, но и потому, что все современные материнские платы выпускаются со слотами для памяти типа DDR3.

Объем модуля памяти. Чем больше приложений вы планируете запускать одновременно, тем больший вам потребуется объем ОЗУ. Однако следует учитывать, что часть объем памяти уходит на потребности системы. Так, к примеру, для комфортной работы на Windows XP потребуется не менее 1Гб ОЗУ (оптимально 2 Гб), для Windows 7 x32 — не менее 2Гб ОЗУ (оптимально 3 Гб), для Windows 7 x64 — не менее 3Гб ОЗУ (оптимально 4 Гб).

Тактовая частота памяти, пропускная способность и чип. Эти характеристики зависимы друг от друга, это значит, что определенной частоте будет отвечать определенная пропускная способность, и определенный чип. Чем больше частота – тем больше скорость обмена данными. Следует учитывать, что суммарная пропускная способность всех модулей памяти не должна превышать пропускную способность шины ОЗУ на материнской плате. В противном случае память не сможет полностью раскрыть свой потенциал. Также учитываете, что разные материнские платы поддерживают разные типы чипов, желательно брать только поддерживаемую память, так как в противном случае память будет работать медленно (если вообще будет работать). Данные о соотношении трех вышеуказанных характеристик ОЗУ приведены в таблице ниже.

Как поменять оперативную память

Сейчас самое подходящее время, для того чтобы обновить оперативную память вашей машины. Большинство ПК поставляются с установленной на них 64-разрядной операционной системой.

Компания Rambus представила серию технологий межкомпонентных соединений, которые должны стать основой для нового поколения оперативной памяти DRAM – DDR4. По оптимистичному заявлению компании, стандарт DDR4 DRAM на основе этих технологий может обрести материальные черты уже в 2011 г. Промежуток рабочих частот у DDR2-SDRAM 400-1066 МГц, DDR3-SDRAM 1066-2133 МГц, а у DDR4-SDRAM составит 2133-4266 МГц, с напряжением чипов памяти от 1,1 до 1,2 В.

Samsung разработала модуль оперативной памяти 8 Гб на базе чипов памяти TSV

Компания Samsung Electronics заявила, что она разработала 8GB модуль памяти RDIMM (registered dual inline memory module), которая основывается на DDR3 DRAM. Новый модуль памяти, который был успешно испытан некоторыми пользователями Samsung, обеспечивает высокую производительность, в частности из-за использования трехмерной (3D) установки чипов, по технологии называемой through silicon via (TSV).

Производителей именно микросхем памяти единицы, намного больше компаний занимающихся выпуском оперативной памяти, напаиванием чипов на платы собственной разработки. И от изготовителей модулей памяти, качество продукции зависит не меньше, чем от производителя самих чипов. Для выпуска качественного модуля недостаточно произвести хорошую конструкцию, для этого нужен современный техпроцесс. Кроме того, именитые фирмы уделяют достаточно внимания тестированию как самих чипов, так и готовых модулей.

Частота оперативной памяти – чем выше частота, тем быстрее будет передана информация на обработку и тем выше будет производительность компьютера. Когда говорят о частоте оперативной памяти, имеют ввиду частоту передачи данных, а не тактовую частоту.

DDR2 – 400/533/667/800/1066 МГц (200/266/333/400/533 МГц тактовая частота).

  • DDR3 – 800/1066/1333/1600/1800/2000/2133/2200/2400 Мгц (400/533/667/800/1800/1000/1066/1100/1200 МГц тактовая частота). Но из-за высоких значений таймингов (задержек) одинаковые по частоте модули памяти проигрывают в производительности DDR2.
  • DDR4 – 2133/2400/2666/2800/3000/3200/3333.
  • Оперативная память основные характеристики

    DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в современных компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам.

    Физически DRAM состоит из ячеек, созданных в полупроводниковом материале в виде емкости. Заряженная или разряженная емкость хранит бит данных. Каждая ячейка такой памяти имеет свойство разряжаться (из-за токов утечки и пр.), поэтому их постоянно надо подзаряжать — отсюда название «динамическая» (динамически подзаряжать). Совокупность ячеек образует условный «прямоугольник», состоящий из определённого количества строк и столбцов. Один такой «прямоугольник» называется страницей, а совокупность страниц называется банком. Весь набор ячеек условно делится на несколько областей.

    Как запоминающее устройство (ЗУ) DRAM представляет собой модуль памяти какого-либо конструктивного исполнения, состоящий из печатной платы, на которой расположены микросхемы памяти, и разъёма, необходимого для подключения модуля к материнской плате.

    Впервые динамическая память была реализована в дешифровальной машине «Aquarius», использовавшейся во время второй мировой войны в правительственной школе кодов и шифров в Блетчли-парк. Считываемые с бумажной ленты символы «запоминались в динамическом хранилище. … Хранилище представляло собой блок конденсаторов, которые были либо заряжены, либо разряжены. Заряженный конденсатор соответствовал символу „X“ (логической единице), разряженный — символу „.“ (логическому нулю). Поскольку конденсаторы теряли заряд из-за утечки, на них периодически подавался импульс для подзарядки (отсюда термин динамическая)» [1] .

    В 1966 году учёный Роберт Деннард из исследовательского центра имени Томаса Уотсона компании IBM изобрёл современную память DRAM. В 1968 году Деннарду был выдан патент США под номером 3387286 (недоступная ссылка) . Конденсаторы использовались в более ранних конструкциях памяти, таких как барабан компьютера Атанасова — Берри, трубках Уильямса и селектронах.

    На физическом уровне память DRAM представляет собой набор ячеек, способных хранить информацию. Ячейки состоят из конденсаторов и транзисторов, расположенных внутри полупроводниковых микросхем памяти [2] . Конденсаторы заряжают при записи в ячейку единичного бита и разряжают при записи в ячейку нулевого бита.

    При прекращении подачи электроэнергии конденсаторы разряжаются, и память обнуляется (опустошается). Для поддержания необходимого напряжения на обкладках конденсаторов (для сохранения данных) конденсаторы необходимо периодически подзаряжать . Подзарядку выполняют путём подачи на конденсаторы напряжения через коммутирующие транзисторные ключи. Необходимость постоянной зарядки конденсаторов (динамическое поддержание заряда конденсаторов) является основополагающим принципом работы памяти типа DRAM.

    Важным элементом памяти типа DRAM является чувствительный усилитель-компаратор (англ. sense amp ), подключённый к каждому из столбцов «прямоугольника». При чтении данных из памяти усилитель-компаратор реагирует на слабый поток электронов, устремившихся через открытые транзисторы с обкладок конденсаторов, и считывает одну строку целиком. Чтение и запись выполняются построчно; обмен данными с отдельно взятой ячейкой невозможен.

    В отличие от статической памяти (памяти типа SRAM (англ. static random access memory ), конструктивно более сложной, более дорогой, более быстрой и применяемой в основном в кеш-памяти), медленная, но дешёвая динамическая память (DRAM) изготавливается на основе конденсаторов небольшой ёмкости. Такие конденсаторы быстро теряют заряд, поэтому во избежание потерь хранимых данных конденсаторы приходится подзаряжать через определённые промежутки времени. Этот процесс называется регенерацией памяти, осуществляется специальным контроллером, установленным либо на материнской плате, либо на кристалле центрального процессора. На протяжении времени, называемого шагом регенерации, в DRAM перезаписывается целая строка ячеек, и через 8—64 мс обновляются все строки памяти.

    Процесс регенерации памяти в классическом варианте существенно тормозит работу системы, поскольку во время его осуществления обмен данными с памятью невозможен. Регенерация, основанная на обычном переборе строк, в современных типах DRAM не применяется. Существует несколько более экономичных вариантов этого процесса: расширенный, пакетный, распределённый. Наиболее экономичной является скрытая (теневая) регенерация.

    Среди новых технологий регенерации — PASR (англ. partial array self refresh ), применяемая некоторыми компаниями в чипах памяти SDRAM, отличающихся низким уровнем энергопотребления. Регенерация ячеек выполняется только в период ожидания в тех банках памяти, в которых имеются данные. Одновременно с этой технологией применяется технология TCSR (англ. temperature compensated self refresh ), предназначенная для регулирования периода регенерации в зависимости от рабочей температуры.

    Основными характеристиками DRAM являются рабочая частота и тайминги.

    Перед обращением к ячейке памяти контроллер памяти передаёт модулю памяти номер банка, номер страницы банка, номер строки страницы и номер столбца страницы; на эти запросы тратится время. До и после выполнения чтения или записи довольно большой промежуток времени уходит на «открытие» и «закрытие» банка. На каждое действие требуется время, называемое таймингом.

    Основными таймингами DRAM являются:

    • задержка между подачей номера строки и номера столбца, называемая временем полного доступа (англ. RAS to CAS delay );
    • задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки, называемая временем рабочего цикла (англ. CAS delay );
    • задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки (англ. RAS precharge ).

    Тайминги измеряются в наносекундах или тактах. Чем меньше величина тайминга, тем быстрее будет работать оперативная память.

    На протяжении долгого времени разработчики создавали различные типы DRAM с использованием различных технических решений. Основной движущей силой такого развития были стремление увеличить быстродействие и объём оперативной памяти.

    PM DRAM (англ. page mode DRAM — страничная DRAM) — один из первых типов DRAM. Память такого типа выпускалась в начале 1990-х годов. С ростом производительности процессоров и ресурсоёмкости приложений требовалось увеличивать не только объём памяти, но и скорость её работы.

    FPM DRAM (англ. fast page mode DRAM — быстрая страничная DRAM) — тип DRAM, основанный PM DRAM и отличающийся повышенным быстродействием. Память такого типа работала также, как память типа PM DRAM, а увеличение скорости работы достигалось путём повышения нагрузки на аппаратную часть памяти (доступ к данным на той же странице осуществлялся с меньшей задержкой [3] ). Память такого типа была популярна в первой половине 1990-х годов, а в 1995 году [4] занимала 80 % рынка компьютерной памяти. Применялась в основном для компьютеров с процессорами Intel 80486 или аналогичных процессоров других фирм. Могла работать на частотах 25 и 33 МГц с временем полного доступа 70 и 60 нс и с временем рабочего цикла 40 и 35 нс соответственно. В 1996—1997 годах была вытеснена памятью EDO DRAM и SDR SDRAM. В 1997 году доля FPM DRAM на рынке упала до 10 % [4] [5] .

    EDO DRAM (англ. extended data out DRAM — DRAM с усовершенствованным выходом) — тип DRAM, созданный для замены FPM DRAM ввиду неэффективности FPM DRAM при работе с процессорами Intel Pentium. Память такого типа появилась на рынке в 1996 году. Использовалась на компьютерах с процессорами Intel Pentium и выше. По производительности на 10—15 % обгоняла FPM DRAM. Работала на частотах 40 и 50 МГц с времем полного доступа — 60 и 50 нс и с времем рабочего цикла — 25 и 20 нс соответственно. Содержала регистр-защёлку (англ. data latch ) выходных данных, что обеспечивало некоторую конвейеризацию работы для повышения производительности при чтении.

    SDR SDRAM (англ. single data rate synchronous DRAM — синхронная DRAM одиночной частоты) — тип DRAM, созданный для замены EDO DRAM в связи с понижением стабильности работы EDO DRAM с новыми процессорами и повышением рабочих частот системных шин. Новыми особенностями памяти этого типа стали использование тактового генератора для синхронизации всех сигналов и использование конвейерной обработки информации. Память такого типа надёжно работала на частотах системной шины 100 МГц и выше.

    Если для памяти FPM DRAM и EDO DRAM указывалось время чтения данных из первой ячейки в цепочке (время доступа), то для SDRAM указывалось время чтения данных из последующих ячеек. Цепочка — несколько ячеек, расположенных последовательно. На чтение данных из первой ячейки уходило 60—70 нс независимо от типа памяти, а время чтения последующих ячеек зависело от типа памяти. Рабочие частоты SDRAM могли быть равны 66, 100 или 133 МГц, время полного доступа — 40 и 30 нс, а время рабочего цикла — 10 и 7,5 нс.

    Совместно с памятью SDRAM применялась технология VCM (англ. virtual channel memory ). VCM использует архитектуру виртуального канала, позволяющую более гибко и эффективно передавать данные с использованием каналов регистра на чипе. Данная архитектура интегрирована в SDRAM. Применение VCM повышало скорость передачи данных. Модули памяти SDRAM, поддерживающие и не поддерживающие VCM, были совместимы, что позволяло обновлять системы без значительных затрат и модификаций. Это решение нашло поддержку у некоторых производителей чипсетов.

    ESDRAM (англ. enhanced SDRAM ) — тип DRAM, созданный для решения некоторых проблем с задержкой сигнала, присущих стандартной DRAM. Память такого типа отличалась наличием в чипе небольшого количества SRAM, то есть наличием кеша. По существу, представляла собой SDRAM с небольшим количеством SRAM. Кеш использовался для хранения и выборки наиболее часто используемых данных, за счёт чего достигалось уменьшение времени доступа к данным медленной DRAM. Память такого типа выпускалась, например, фирмой «Ramtron International Corporation». При малых задержках и пакетной работе могла работать на частотах до 200 МГц.

    BEDO DRAM (англ. burst EDO DRAM — пакетная EDO RAM) — тип DRAM, основаный на EDO DRAM и отличающийся поддержкой технологии поблочного чтения данных (блок данных читался за один такт). Модули памяти такого типа за счёт поблочного чтения работали быстрее SDRAM, стали дешёвой альтернативой SDRAM, но из-за неспособности работать на частотах системной шины, превышающих 66 МГц, не стали популярными.

    VRAM (англ. video RAM ) — тип DRAM, разработанный на основе SDRAM специально для использования в видеоплатах. Память такого типа благодаря некоторым техническим изменениям по производительности обгоняла SDRAM на 25 %. Позволяла обеспечить непрерывный поток данных в процессе обновления изображения, что было необходимо для реализации возможности показа изображений высокого качества. Стала основой памяти типа WRAM (англ. windows RAM ), которую иногда ошибочно связывают с операционными системами семейства Windows.

    DDR SDRAM (англ. double data rate SDRAM , SDRAM или SDRAM II) — тип DRAM, основанный на SDR SDRAM и отличающийся удвоенной скоростью передачи данных (удвоенной пропускной способностью). Память такого типа первоначально применялась в видеоплатах, позднее стала использоваться и на чипсетах.

    У предыдущих версий DRAM линии адреса, данных и управления, которые накладывают ограничения на скорость работы устройств, были разделены. Для преодоления этого ограничения в некоторых технологических решениях все сигналы стали передавать по одной шине. Двумя из таких решений стали DRDRAM и SLDRAM (открытый стандарт). Памяти типа SLDRAM, подобно предыдущей [ какой? ] технологии, использует оба перепада тактового сигнала. Что касается интерфейса, то SLDRAM перенимает протокол, названный SynchLink Interface, и стремится работать на частоте 400 МГц.

    Рабочие частоты памяти типа DDR SDRAM — 100, 133, 166 и 200 МГц, время полного доступа — 30 и 22,5 нс, а время рабочего цикла — 5, 3,75, 3 и 2,5 нс.

    Так как частота синхронизации лежит в пределах от 100 до 200 МГц, а данные передаются по 2 бита на один синхроимпульс, как по фронту, так и по спаду тактового импульса, то эффективная частота передачи данных лежит в пределах от 200 до 400 МГц. Модули памяти, работающие на таких частотах, обозначают «DDR200», «DDR266», «DDR333», «DDR400».

    RDRAM (англ. Rambus DRAM ) — тип DRAM, разработанный компанией Rambus. Память такого типа отличалась высоким быстродействием за счёт ряда особенностей, не встречающихся в памяти других типов. Работала на частотах 400, 600 и 800 МГц с временем полного доступа до 30 нс и временем рабочего цикла до 2,5 нс. Первоначально стоила очень дорого, из-за чего производители мощных компьютеров предпочли менее производительную и более дешёвую DDR SDRAM.

    DDR2 SDRAM — тип DRAM, основанный на DDR SDRAM и выпущенный в 2004 году. Память такого типа по сравнению с DDR SDRAM за счёт технических изменений обладала более высоким быстродействием. Предназначалась для использования на современных компьютерах. Работала на тактовых частотах шины 200, 266, 333, 337, 400, 533, 575 и 600 МГц. При этом эффективная частота передачи данных могла составлять 400, 533, 667, 675, 800, 1066, 1150 и 1200 МГц. Некоторые производители модулей памяти, помимо модулей, работающих на стандартных частотах, выпускали модули, работающие на нестандартных (промежуточных) частотах; такие модули предназначались для использования в разогнанных системах, где требовался запас по частоте. Время полного доступа — 25, 11,25, 9, 7,5 нс и менее. Время рабочего цикла — от 5 до 1,67 нс.

    DDR3 SDRAM — тип DRAM, основанный на DDR2 SDRAM, отличающийся удвоенной частотой передачи данных по шине памяти и пониженным энергопотреблением. Память такого типа обеспечивает большую пропускную способность по сравнению с ранее существовавшими типами памяти. Работает на частотах полосы пропускания в пределах от 800 до 2400 МГц (рекорд частоты — более 3000 МГц).

    DDR4 SDRAM (англ. DDR four SDRAM ) — тип DRAM, основанный на технологиях предыдущих поколений DDR и отличающийся повышенными частотными характеристиками, пониженным напряжением питания.

    Основное отличие DDR4 от предыдущего стандарта (DDR3) заключается в удвоенном до 16 числе банков (в двух группах банков, что позволило увеличить скорость передачи). Пропускная способность памяти DDR4 в перспективе может достигать 25,6 ГБ/c (в случае повышения максимальной эффективной частоты до 3200 МГц). Надёжность работы DDR4 повышена за счёт введения механизма контроля чётности на шинах адреса и команд. Изначально в стандарте DDR4 был определён диапазон частот от 1600 до 2400 МГц с возможностью увеличения до 3200 МГц.

    Массовое производство ECC-памяти DDR4 началось со второго квартала 2014 года, а в следующем квартале начались продажи non-ECC модулей DDR4 вместе с процессорами Intel Haswell-E/Haswell-EP, требующими DDR4.

    Разборка и чистка ноутбука Lenovo IdeaPad Yoga 13

    Решили почистить ультрабук леново йогу от пыли. В плане разборки ноутбук интересный, но без специальной отвёртки его разобрать очень сложно (если вдруг кто захочет маленькой плоской отвёрткой открутить винтики с шляпкой под звёздочку).

    Принесли мне ноутбук для чистки от пыли, так как он перегревался.

    Попался мне в руки планшет у которого был разбит экран и была необходимость его заменить.

    Снимаем клавиатуру с ноутбука, чтобы её заменить. Если нет денег на замену клавиатуры, то её можно просто отключить и купить стандартную USB клавиатуру, обойдётся она раз в 5 дешевле.

    Недавно я уже разбирал ноутбук HP G6, но там была модель по старше, этот же ноутбук более новее и его разборка отличается от предыдущей моделей, особенно интересно здесь снимается клавиатура.

    Разборка ноутбука Asus Eee pc1011cx и замена винчестера

    Операционная система в этом ноутбуке перестала загружаться, вместо этого срабатывала встроенная в ОС windows 7 диагностика по восстановлению системы. В итоге оказалось, что на винчестере много битых секторов (бэд блоков), поэтому пришлось заменить винчестер.

    Ноутбуку порядка 9 лет и его, по словам владелицы, ни разу не разбирали, чтобы почистить или заменить термопасту.

    Цель разборки ноутбука была одна — почистить его от пыли, так как он грелся.

    Разборка и чистка ноутбука SONY vaio VPCEH2J1R (PCG-71812V)

    В этот раз ко мне в руки попал ноутбук SONY VAIO, если я не ошибаюсь, то первый опыт по разборке ноутбуков у меня был как раз связан с sony vaio (хотя может это был и второй ноутбук), правда другой модели. Ну ладно, ближе к делу.

    Появилась необходимость почистить видеокарту от пыли, но как оказалось не совсем просто было её разобрать, по этому было решено написать статью о разборке видеокарты фирмы XFX модели GeForce 260 GTX.

    Источники:
    Выбор и характеристики оперативной памяти
    Путеводитель: Новости и новинки из мира новых технологий. Выбор и характеристики оперативной памяти.
    http://www.putevodytel.com/view_it_news.php?art=vibor_operativnaoy_pamiati
    Как поменять оперативную память
    Основные характеристики оперативной памяти. Выбрать оперативную память
    http://hardwareguide.ru/category/%d0%be%d0%bf%d0%b5%d1%80%d0%b0%d1%82%d0%b8%d0%b2%d0%bd%d0%b0%d1%8f-%d0%bf%d0%b0%d0%bc%d1%8f%d1%82%d1%8c/
    Оперативная память основные характеристики
    DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов,
    https://ru.wikipedia.org/wiki/DRAM
    Разборка и чистка ноутбука Lenovo IdeaPad Yoga 13
    Статьи на компьютерную тематику, интересный материал о железе и софте, помощь студентам/учащимся по программированию и информатике. Помощь в решении компьютерных проблем. Компьютерная помощь.
    http://deathcoder.ru/index.php?articles=view&id=14

    (Visited 2 times, 1 visits today)

    Популярные записи:

    интересные истории про любовь Интересные истории про любовьВсем привет. Буду кратка, но мне очень нужна ваша помощь, совет каждого… (1)

    Корпоратив на новый год Игры и конкурсы с приколами на корпоратив. Веселимся на Новый год с коллегами Смешные, забавные… (1)

    Поздравления с днем рождения 35 лет женщине прикольные Прикольные поздравления с юбилеем 35 лет женщинеСегодня 35-летний твой юбилейДавай в бокалы шампусика налейМы тут… (1)

    Самые ревнивые знаки зодиака Самые ревнивые знаки зодиакаВряд ли можно с уверенностью сказать, что существует самый ревнивый знак зодиака.… (1)

    Поведение влюбленной женщины стрельца Женщина Стрелец в ЛюбвиВ том, как любит женщина Стрелец, есть много от ее родной стихии… (1)

    COMMENTS