Оперативная память доклад

Оперативная память

Оперативная память. Исследование рынка оперативной памяти

Владивостокский Государственный Университет Экономики и Сервиса

Кафедра Экономической Информатики

по дисциплине: «Аппаратные и программные средства ЭВМ»

на тему: «Оперативная память. Изучение рынка оперативной памяти»

Выполнил: студент группы ПЭ-00-04

I. Основные сведения об оперативной памяти

3. Разъемы SIMM и DIMM

4. Спецификация SDRAM PC100

Спецификация PC100. Ключевые моменты

SPD (Serial Presence Detect)

5. Типы высокоскоростной памяти

Enhanced SDRAM (ESDRAM)

DDR SDRAM (SDRAM II)

RDRAM (Rambus DRAM)

Direct Rambus Memory System

6. Совместимость. О существующих форм-факторах

7. Производители чипов

Чипсет Intel 820

II. Изучение цен и спроса на оперативную память

Рынок, таблицы, графики, анализ, выводы

Основные сведения об оперативной памяти

Оперативная память является одним из важнейших элементов компьютера. Именно из нее процессор берет программы и исходные данные для обработки, в нее он записывает полученные результаты. Название «оперативная» эта память получила потому, что она работает очень быстро, так что процессору практически не приходится ждать при чтении данных из памяти или записи в память. Однако содержащиеся в ней данные сохраняются только пока компьютер включен. При выключении компьютера содержимое оперативной памяти стирается. Часто для оперативной памяти используют обозначение RAM (Random Access Memory, то есть память с произвольным доступом).

Разъемы SIMM и DIMM

72-пиновые разъемы SIMM ожидает та же участь, которая несколькими годами раньше постигла их 30-пиновых предшественников: те уже давно не производятся. Им на смену в 1996 г. пришел новый разъем DIMM со 168 контактами, а сейчас появляется еще разъем RIMM. Если на SIMM реализовывались FPM и EDO RAM, то на DIMM — более современная технология SDRAM. В системную плату модули SIMM необходимо было вставлять только попарно, а DIMM можно выбрать по одному, что связано с разрядностью внешней шины данных процессоров Pentium. Такой способ установки предоставляет больше возможностей для варьирования объема оперативной памяти.

Модуль памяти Registered DIMM

Первоначально материнские платы поддерживали оба разъема, но уже довольно продолжительное время они комплектуются исключительно разъемами DIMM. Это связано с упомянутой возможностью устанавливать их по одному модулю и тем, что SDRAM обладает большим быстродействием по сравнению с FPM и EDORAM.

Если для FPM и EDO памяти указывается время чтения первой ячейки в цепочке (время доступа), то для SDRAM указывается время считывания последующих ячеек. Цепочка — несколько последовательных ячеек. На считывание первой ячейки уходит довольно много времени (60-70 нс) независимо от типа памяти, а вот время чтения последующих сильно зависит от типа.

Спецификация SDRAM PC100

Еще одно преимущество SDRAM перед EDO заключается в том, что EDO не работает на частотах свыше 66 МГц, а SDRAM доступна частота шины памяти до 100 МГц.

Стандартный модуль памяти SDRAM PC100

Выпустив чипсет 440BX с официальной поддержкой тактовой частоты системной шины до 100 МГц, Intel сделала оговорку, что модули памяти SDRAM неустойчиво работают на такой скорости. После заявления Intel представила новую спецификацию, описывающую все тонкости, — SDRAM PC100.

Спецификация PC100. Ключевые моменты

Определение минимальной и максимальной длины пути для каждого сигнала в модуле.

Определение ширины дорожек и расстояния между ними.

6-слойные платы с отдельными сплошными слоями масса и питание.

Детальная спецификация расстояний между слоями.

Строгое определение длины тактового импульса, его маршрутизации, момента начала и окончания.

Подавляющие резисторы в цепях передачи данных.

Детальная спецификация компонента SDRAM. Модули должны содержать чипы памяти SDRAM, совместимые с Intel SDRAM Component SPEC (version 1.5).

Данной спецификации отвечают только 8-нс чипы, а 10-нс чипы, по мнению Intel, неспособны устойчиво работать на частоте 100 МГц.

Детальная спецификация программирования EEPROM. Модуль должен включать интерфейс SPD, совместимый с Intel SPD Component SPEC (version 1.2).

Особые требования к маркировке.

Подавление электромагнитной интерференции.

Местами позолоченные печатные платы.

Введение стандарта PC100 в некоторой степени можно считать рекламной уловкой, но все известные производители памяти и системных плат поддержали эту спецификацию, а с появлением следующего поколения памяти переходят на его производство.

Спецификация PC100 является очень критичной, одно описание с дополнениями занимает больше 70 страниц.

Для комфортной работы с приложениями, требующими высокого быстродействия, разработано следующее поколение синхронной динамической памяти — SDRAM PC133. В продаже можно найти модули, поддерживающие эту спецификацию, причем цена на них превышает цены соответствующих моделей PC100 на 10-30%. Насколько это оправдано, судить довольно сложно. Продвижением данного стандарта на рынок занимается уже не Intel, а их главный конкурент на рынке процессоров AMD. Intel же решила поддерживать память от Rambus, мотивируя это тем, что она лучше сочетается с шиной AGP 4x.

133-МГц чипы направлены на использование с новым семейством микропроцессоров, работающих на частоте системной шины 133 МГц, и полностью совместимы со всеми PC100-продуктами. Такими производителями, как VIA Technologies, Inc., Acer Laboratories Inc. (ALi), OPTi Inc., Silicon Integrated Systems (SiS) и Standard Microsystems Corporation (SMC), разработаны чипсеты, поддерживающие спецификацию PC133.

Недавно появилась еще одна интересная технология — Virtual Channel Memory. VCM использует архитектуру виртуального канала, позволяющую более гибко и эффективно передавать данные с использованием каналов регистра на чипе. Данная архитектура интегрирована в SDRAM. VCM, помимо высокой скорости передачи данных, совместима с существующими SDRAM, что позволяет делать апгрейд системы без значительных затрат и модификаций. Это решение также нашло поддержку у некоторых производителей чипсетов.

SPD (Serial Presence Detect)

SPD — это небольшой чип, находящийся на модуле памяти и хранящий некоторые его параметры (рабочее напряжение, число банков, тип, емкость, время доступа и т. д.). Информация записывается в микросхемы EEPROM, позволяющие запоминать 2048 бит. Первые 128 байт не могут быть перезаписаны и отводятся под некоторую специальную информацию производителя, а оставшееся место доступно пользователю и содержит данные модуля. На модулях «безымянного» производства, как правило, SPD отсутствует, хотя некоторые материнские платы требуют его наличия (например, платы на чипсете 440LX). Возможно, это сделано, чтобы исключить использование «левой» продукции или чтобы избавить пользователя от необходимости делать вручную настройку памяти в BIOS.

Сейчас уже не актуально использовать 66-МГц шины памяти. Разработчики DRAM нашли возможность преодолеть этот рубеж и извлекли некоторые дополнительные преимущества путем осуществления синхронного интерфейса.

С асинхронным интерфейсом процессор должен ожидать, пока DRAM закончит выполнение своих внутренних операций, которые обычно занимают около 60 нс. С синхронным управлением DRAM происходит защелкивание информации от процессора под управлением системных часов. Триггеры запоминают адреса, сигналы управления и данных, что позволяет процессору выполнять другие задачи. После определенного количества циклов данные становятся доступны, и процессор может считывать их с выходных линий.

Другое преимущество синхронного интерфейса заключается в том, что системные часы задают только временные границы, необходимые DRAM. Это исключает необходимость наличия множества стробирующих импульсов. В результате упрощается ввод, т. к. контрольные сигналы адреса данных могут быть сохранены без участия процессора и временных задержек. Подобные преимущества также реализованы и в операциях вывода.

Типы высокоскоростной памяти

Всю память с произвольным доступом (RAM) можно разделить на два типа: DRAM (динамическая RAM) и SRAM (статическая RAM).

К первому поколению высокоскоростных DRAM главным образом относят EDO DRAM, SDRAM и RDRAM, а к следующему — ESDRAM, DDR SDRAM, Direct RDRAM, SLDRAM (ранее SynchLink DRAM) и т. д.

SDRAM способна работать на частоте, превышающей частоту работы EDO DRAM. В первой половине 1997 г. SDRAM занимала примерно 25% всего рынка DRAM. Как и предполагалось, к 1998 г. она стала наиболее популярной из существующих высокоскоростных технологий и занимала более 50% рынка памяти. Первоначально SDRAM работала на частоте от 66 до 100 МГц. Сейчас существует память, работающая на частотах от 125 до 143 МГц и даже выше.

Модуль SDRAM на 256Мбайт

Enhanced SDRAM (ESDRAM)

Для преодоления некоторых проблем с задержкой сигнала, присущих стандартным DRAM-модулям, производители решили встроить небольшое количество SRAM в чип, т. е. создать на чипе кэш. Одним из таких решений, заслуживающих внимания, является ESDRAM от Ramtron International Corporation.

ESDRAM — это по существу SDRAM плюс немного SRAM. При малой задержке и пакетной работе достигается частота до 200 МГц. Как и в случае внешней кэш-памяти, DRAM-кэш предназначен для хранения наиболее часто используемых данных. Следовательно, уменьшается время доступа к данным медленной DRAM.

DDR SDRAM (SDRAM II)

DDR SDRAM (Double Date Rate SDRAM) является синхронной памятью, реализующей удвоенную скорость передачи данных по сравнению с обычной SDRAM.

DDR SDRAM не имеет полной совместимости с SDRAM, хотя использует метод управления, как у SDRAM, и стандартный 168-контактный разъем DIMM.

Наклейка соответствия модуля спецификации SDRAM PC100

DDR SDRAM достигает удвоенной пропускной способности за счет работы на обеих границах тактового сигнала (на подъеме и спаде), а SDRAM работает только на одной.

Стандарт SLDRAM является открытым, т. е. не требует дополнительной платы за лицензию, дающую право на производство чипов, что позволяет снизить их стоимость. Подобно предыдущей технологии, SLDRAM использует обе границы тактового сигнала. Что касается интерфейса, то SLDRAM перенимает протокол, названный SynchLink Interface. Эта память стремится работать на частоте 400 МГц.

У всех предыдущих DRAM были разделены линии адреса, данных и управления, которые накладывают ограничения на скорость работы устройств. Для преодоления этого ограничения в некоторых технологических решениях все сигналы стали выполняться на одной шине. Двумя из таких решений являются технологии SLDRAM и DRDRAM. Они получили наибольшую популярность и заслуживают внимания.

Модуль памяти DRDRAM

RDRAM (Rambus DRAM)

RDRAM представляет спецификацию, созданную Rambus, Inc. Частота работы памяти равна 400 МГц, но за счет использования обеих границ сигнала достигается частота, эквивалентная 800 МГц. Спецификация Rambus сейчас наиболее интересна и перспективна.

Модули от Rambus, Inc.

Direct Rambus DRAM — это высокоскоростная динамическая память с произвольным доступом, разработанная Rambus, Inc. Она обеспечивает высокую пропускную способность по сравнению с большинством других DRAM. Direct Rambus DRAMs представляет интегрированную на системном уровне технологию.

Работа Direct RDRAMtm определяется требованиями подсистемы Direct Rambus. Для понимания деталей спецификации Direct Rambus DRAM необходимо понять подсистему памяти Rambus в целом.

Direct Rambus Memory System

Подсистема памяти Direct Rambus включает следующие компоненты:

Direct Rambus Controller

Direct Rambus Channel

Direct Rambus Connector

Direct Rambus RIMM(tDm)

Direct Rambus DRAMs

Физические, электрические и логические части всех этих компонентов определены и специфицированы Rambus, Inc. Это требуется для совместимости и высокоскоростной работы подсистемы Direct Rambus.

Технология Direct Rambus представляет собой третий этап развития памяти RDRAM. Впервые память RDRAM появилась в 1995 г., работала на частоте 150 МГц и обеспечивала пропускную способность 600 Мбайт/с. Она использовалась в станциях SGI Indigo2 IMPACTtm, в приставках Nintendo64, а также в качестве видеопамяти. Следующее поколение RDRAM появилось в 1997 г. под названием Concurrent RDRAM. Новые модули были полностью совместимы с первыми. Но за год до этого события в жизни компании произошло не менее значимое событие. В декабре 1996 г. Rambus, Inc. и Intel Corporation объявили о совместном развитии памяти RDRAM и продвижении ее на рынок персональных компьютеров.

Совместимость. О существующих форм-факторах.

В качестве оперативной памяти используются модули SIMM, DIMM, RIMM, SO-DIMM и SO-RIMM. Все они имеют разное количество контактов. Модули SIMM сейчас встречаются только в старых моделях материнских плат, а им на смену пришли 168-контактные DIMM. Модули SO-DIMM и SO-RIMM, имеющие меньшее количество контактов, чем стандартные DIMM и RIMM, широко используются в портативных устройствах. Модули RIMM можно встретить в платах на новом чипсете Intel

Модуль памяти SO-DIMM

Совпадение форм-факторов модуля и разъема не всегда стопроцентно гарантирует работоспособность модуля. Для сведения к минимуму риска использования неподходящего устройства применяются так называемые ключи. В модулях памяти такими ключами являются один или несколько вырезов. Этим вырезам на разъеме соответствуют специальные выступы. Так в модулях DIMM используется два ключа. Один из них (вырез между 10 и 11 контактами) отвечает за буферизованность модуля (модуль может быть буферизованным или небуферизованным), а второй (вырез между 40 и 41 контактами) — за рабочее напряжение (может быть 5 В или 3,3 В).

Модуль памяти DDR DIMM

Использование модулей памяти с покрытием контактов, отличным от покрытия контактов разъема также допускается. Хотя утверждают, что материал, используемый для покрытия модулей и разъемов, должен совпадать. Мотивируется это тем, что при различных материалах возможно появление гальванической коррозии, и, как следствие, разрушение модуля. Хотя такое мнение не лишено оснований, но, как показывает опыт, использование модулей и разъемов с разным покрытием никак не сказывается на работе компьютера.

Существует много фирм, производящих чипы и модули памяти. Их можно разделить на brand-name и generic-производителей.

При покупке (особенно на рынках) хорошо бы лишний раз убедиться в правильности предоставляемой продавцом информации (как говорится, доверяй, но проверяй). Произвести такую проверку можно расшифровав имеющуюся на чипе строку букв и цифр (как правило, самую длинную) с помощью соответствующего databook и материалов, находящихся на сайте производителя. Но часто бывает, что необходимой информации не оказывается под рукой. И все же своей цели можно добиться, т. к. большинство производителей придерживаются более или менее стандартного вида предоставления информации (исключение составляют Samsung и Micron). По маркировке чипа можно узнать производителя, тип памяти, рабочее напряжение, скорость доступа, дату производства и др.

Чипсет Intel 820

В конце прошлого года после долгого ожидания появились первые системные платы на чипсете Intel 820, поддерживающие память Direct Rambus. Правда, в наших магазинах пока нельзя приобрести ни таких плат, ни память, но если все-таки вы твердо решили перейти на новую систему и не хотите подождать недельку-другую, то можете воспользоваться услугами Internet.

Немаловажным вопросом при переходе на новую систему является ее стоимость. При покупке системной платы на i820 скорее всего придется приобретать новую память, т. к. этот чипсет поддерживает DRDRAM. Как можно видеть из таблицы, этот чипсет способен работать и с PC100 SDRAM, но для этого требуется наличие транслятора памяти на материнской плате.

Технология производства DRDRAM не очень сильно отличается по стоимости от производства SDRAM, но необходимо учесть, что стандарт RDRAM является закрытым и, следовательно, чтобы производить эти чипы, фирма должна приобрести соответствующую лицензию. Естественно, все эти дополнительные расходы на производство отразятся на конечном пользователе, т. е. на нас с вами (по некоторым данным, память Direct Rambus стоит в пять раз дороже SDRAM).

Помимо использования другой технологии, модули Direct Rambus используют и более низкое рабочее напряжение по сравнению с DIMM (2,5 В в Direct Rambus против 3,3 В в SDRAM).

Что нас ждет в новом году?

В заключении подведем некоторые итоги. Прошедший год был богат различными событиями в компьютерной индустрии, но одним из главных событий стал выход чипсета Intel 820, а с ним и многих новых типов памяти.

Борьба за различные сферы производства будет продолжаться. Мы посмотрим, сможет ли Rambus вытеснить с рынка памяти модули SDRAM и им подобные. Также интересно будет следить за борьбой Intel и AMD на рынке процессоров

Изучение цен и спроса на оперативную память за последний год

Исследование проводилось в городе Владивостоке. В качестве объектов исследования были выбраны модули оперативной памяти, имеющиеся в свободной продаже на рынке. Было определено пять основных типов RAM микросхем (SDRAM DIMM 32 MB

, SDRAM DIMM 64 MB

, SDRAM DIMM 128 MB

, SDRAM DIMM 64 MB

, SDRAM DIMM 128 MB

), которые на данный момент в набольшей степени соответствовали запросам среднего покупателя (пользователя) По этой причине не брались модули SIMM и более старые чипы (которые уже не производятся и не имеют спроса), а также самые новые разработки – RDRAM, Direct RamBus, так как они поступают на наш рынок в ограниченных количествах, имеют незначительный спрос и потому не дают объективной картины в целом. За основу исследования были взяты прайс-листы компьютерных компаний города (названия в разделе Список использованной литературы). На основе этих данных была составлена следующая таблица.

По таблице были построены графики изменения цен по каждому из модулей.

Оперативная память доклад

39. Структура оперативной памяти. Организация виртуальной памяти.

Страничное, сегментное и сегментно-страничное распределение памяти.

Структура памяти любой машины является многоуровневой. Можно выделить уровни регистровой, оперативной и внешней памяти. Уровень оперативной памяти имеет первостепенное значение, т. к. ни один процесс в системе не может развиваться без такого ресурса как ОП. В составе любой ОС имеется распределитель ОП. Алгоритмы распределения ОП весьма разнообразны в силу следующих обстоятельств:

1) оперативная память, несмотря на развитие схемотехники, остается дорогим ресурсом, поэтому необходимо заботиться о ее эффективной с точки зрения ОС загрузке;

2) с помощью распределителя ОП (и, возможно, других уровней памяти и других ресурсов) пользователь должен получить виртуальную память, характеристики и способы работы с которой отличаются от реально существующих (т.е. пользователи должны работать с ОП не на физическом уровне, а на более высоком);

3) ОП является особым ресурсом, поскольку ее распределение должно происходить не изолированно, а согласованно с распределением ЦП.

С точки зрения связи с распределением ЦП различают два уровня распределения ОП. На уровне долгосрочного планирования ОП распределяется статически таким образом, что каждому заданию отводится область памяти для исполнения программ и размещения данных, называемая зоной .

Внутри зон память распределяется динамически на уровне краткосрочного планирования.

В любой момент времени все пространство ОП представляет собой чередующуюся последовательность из занятых (распределенных) и свободных (не распределенных) участков памяти. Свободные участки ОП принято называть дырами .

Задача распределения ОП как на уровне долгосрочного, так и краткосрочного планирования распадается на три взаимосвязанных задачи: учета , выделения и возврата , которые заключаются в следующем:

При решении указанных задач стремятся:

  1. Минимизировать время их решения. При этом улучшение временных параметров за счет некоторого алгоритма в рамках одной задачи нередко приводит к их ухудшению при решении других задач. В качестве примера можно рассмотреть следующую ситуацию: формирование неупорядоченного списка дыр при решении задачи учета требует меньше времени, чем упорядоченного, но поиск самой подходящей дыры на этапе выделения памяти в этом случае происходит существенно медленнее.
  2. Минимизировать потери памяти путем борьбы с фрагментацией. На это направлено статическое разбиение памяти на зоны до начала работы ОС (каждому заданию – своя зона). Более гибкий алгоритм предполагает, что количество и размер зон могут динамически меняться (на этапе долгосрочного планирования очередного задания). Предполагается также вмешательство пользователя с помощью средств общения с системой.

Независимо от того, какой из двух алгоритмов распределения памяти применяется – самая подходящая или первая подходящая дыра, распределение и освобождения памяти требует выполнения следующих действий:

  1. найти свободную область не меньше требуемого размера;
  2. поделить ее на две части – распределяемую и свободную;
  3. при освобождении, если возможно, объединить освободившуюся область с любой свободной смежной областью.

Виртуальная память функционально рассматривается по уровням, эквивалентным уровням реальной памяти ( вертикальная схема ). Отличие алгоритмов построения виртуальной памяти в пределах уровня соответствует расслоению по горизонтальной схеме .

Физически память представляет собой некоторую среду хранения, составленную из однотипных элементов. Каждый элемент способен хранить информацию и является адресуемым в соответствии с принятым для данной среды способом адресации. Всё доступное множество адресов элементов хранения, упорядоченное по какому-либо признаку, называют адресным пространством памяти. Форма задания адреса полностью определяется механизмом доступа к элементам хранения, принятым для данного вида памяти.

Обычно адрес – это число, которое однозначно определяет номер требуемого элемента хранения. Адресное пространство в этом случае есть последовательность целых чисел, начинающаяся с 0. Число различных адресов конечно и равно N , т.е. размеру адресного пространства (или объему памяти V ).

Второй шаг структуризации заключается в том, что нумеруются адреса независимым образом внутри каждой страницы. В пределах каждой страницы адрес R меняется 0 до 2 ( m -1) и называется смещением . В результате адресное пространство превращается в двумерное, состоящее из адресных пар ( k , R ), где k – номер страницы, R – смещение. Каждая страница при этом рассматривается как отдельное адресное пространство.

Программа отдельного пользователя при погружении в виртуальную память характеризуется двумя компонентами: текстом и адресным пространством, используемым в ней. Текст логически состоит из двух частей: кодовый сегмент и сегмент данных. Кодовая часть программы и данные могут быть структурированы (разбиты на логически обособленные части), такая структуризация распространяется и на адресное пространство.

Используются четыре логические схемы функционирования виртуальной памяти , основанные на различных схемах структуризации памяти (страничной, сегментной и странично-сегментной).

  1. Чисто страничная схема функционирования виртуальной оперативной памяти . Разбиению на страницы одинакового размера L =2 m подвергается как виртуальное, так и реальное адресные пространства. Структуризация осуществляется системой, а не пользователем. Весь текст программы размером Q слов полностью помещается в оперативную память, для чего требуется K =[ Q / L ]+1 виртуальных страниц, где [ x ] означает целую часть числа x .

При этом страницы располагаются не в одной непрерывной области (как предполагает пользователь), а в нескольких несмежных областях. При такой схеме ОС поставлена в наиболее благоприятные условия, поскольку вместо того, чтобы выделить один непрерывный участок памяти размером Q , ОС может найти K несмежных блоков памяти, что более вероятно.

  1. Страничная (по требованию) схема функционирования виртуальной оперативной памяти . Если отказаться от основного принципа предыдущей схемы (программа должна полностью находиться в оперативной памяти), то получим данную схему. Этот подход возможен в связи с двумя предпосылками:

1) В типичной программе различные части адресного пространства исполняются с различной интенсивностью. Поэтому следует стремиться к тому, чтобы соответствующие части программы не загружалась в память.

2) Имеет место локальность вычислений – в течение малого промежутка времени ? t происходит обращение к памяти в пределах ограниченного интервала адресов. Обращение к другому блоку памяти может произойти в более редких случаях либо по командам перехода (условного или безусловного), либо после исполнения последней команды данного блока.

Поэтому основной принцип такой схемы состоит в следующем – в ОП достаточно помещать лишь некоторую часть программы поблочно в соответствие со страничной организацией. Система должна отслеживать обращение к незагруженным частям программы, выделять для них страницы и помещать туда соответствующие блоки. Исполнение далее происходит на основе преобразования адресов. Отображение виртуальных страниц на физические происходит динамически и по частям, поэтому виртуальное адресное пространство может сколь угодно превышать адресное пространство реальной ОП. При данном подходе выигрывает как система, так и пользователь

Источники:
Оперативная память
Владивостокский Государственный Университет Экономики и Сервиса Кафедра Экономической Информатики РЕФЕРАТ по дисциплине: «Аппаратные и программные средства ЭВМ» на тему: «Оперативная память. Изучение рынка …
http://www.referatbank.ru/referat/preview/45337/referat-operativnaya-pamyat-issledovanie-rynka-operativnoy-pamyati.html
Оперативная память доклад
Структура оперативной памяти. Организация виртуальной памяти. Страничное сегментное и сегментно-страничное распределение памяти. Структура памяти любой машины является многоуровневой.
http://5fan.ru/wievjob.php?id=36253

(Visited 13 times, 1 visits today)

Популярные записи:

Кагоцел отзывы комаровский Грипп и ОРВИ: простейшая инструкцияЗапомните самое главное: тактика ваших действий совершенно не зависит от того,… (3)

Звонить или не звонить Звонить или не звонитьВы уже давно общаетесь на сайте знакомств. Знаете о своем собеседнике многое.… (3)

Ласковые названия животных 10 самых милых животных (10 фото)В животном мире существуют самые удивительные и милые создания. Эта… (2)

Если мужчина скорпион не хочет отношений Как завоевать сердце мужчины-Скорпиона? Мужчина-Скорпион один из самых независимых, сильных, неуправляемых знаков в зодиакальной сетке.… (2)

Письмо парню в армию на новый год Письмо солдатуМы с тобой редко говорим по телефону, но мне все равно это очень важно… (2)

COMMENTS